Az IBM és a Siemens a 3D-s nanostack chipek gyártását kutatja
Az IBM és a Siemens közös kutatást indít az IBM nanostack tranzisztor-architektúrájának továbbfejlesztésére. A cél a technológia gyártásához és nagy léptékű előállításához szükséges tervezési, szimulációs és litográfiai módszerek fejlesztése.
- Az IBM és a Siemens közös kutatást indít a nanostack architektúra fejlesztésére.
- A nanostack háromdimenziós, nanosheet alapú tranzisztorkialakítás.
- Az IBM szerint a jelenlegi 7 angströmös csomóponton csaknem 100 milliárd tranzisztor férhet el egy körömnyi területen.
- A Siemens EDA-, szimulációs, litográfiai és gyártási szoftveres szakértelemmel vesz részt.
- A kutatás célja a nanostack gyártásának és nagy léptékű előállításának előkészítése.
Háromdimenziós tranzisztorok egy chipen
Az IBM október 14-én jelentette be az együttműködést a Siemennel. A nanostack az IBM szerint az iparág első ismert, háromdimenziós, nanosheet alapú kialakítása. A megoldás a tranzisztorokat függőlegesen egymás fölé helyezi és eltolja, így több tranzisztor férhet el egy chipen.
A vállalat közlése szerint a jelenlegi, 7 angströmös csíkszélességi csomóponton a nanostack egy körömnyi területen csaknem 100 milliárd tranzisztort tesz lehetővé. Az architektúra azt is lehetővé teszi, hogy az egymásra épülő rétegekben eltérő anyagkombinációkat használjanak. Ezzel az egyes tranzisztorok teljesítménye és energiahatékonysága egymástól függetlenül optimalizálható.
Az IBM szerint ezek a megoldások jelentős javulást hozhatnak az energiahatékonyságban, a teljesítményben és az SRAM, vagyis a statikus véletlen hozzáférésű memória skálázásában.
A Siemens szoftveres és szimulációs tudással kapcsolódik be
Az együttműködés az IBM félvezetőeszköz-fejlesztési tapasztalatát kapcsolja össze a Siemens elektronikus tervezésautomatizálási, röviden EDA, szakértelmével. A Siemens a folyamatok szimulációjában, a litográfia optimalizálásában és a fejlett gyártási szoftverekben is közreműködik.
A két vállalat fejlett virtuális modelleket készít a nanostackról. Ezekkel a chipek megépítése előtt vizsgálhatják a teljesítményt, optimalizálhatják a terveket, valamint azonosíthatják és kezelhetik a gyártási nehézségeket. A kutatás a jelenlegi 7 angströmös csomóponton túlmutató, jövőbeli nanostack-generációk tervezési, szimulációs és litográfiai eljárásaira is kiterjed.
Az IBM korábban már bemutatta a nanostack architektúra működőképességét. A vállalat szerint további fejlesztésekre van szükség ahhoz, hogy a technológia gyártásra és nagy léptékű előállításra alkalmassá váljon.
A gyártás felé vezető alapokat fejlesztenék
Huiming Bu, az IBM szilíciumtechnológiai kutatás-fejlesztésért felelős alelnöke szerint a nanostack skálázható tranzisztorplatform, amely a tranzisztorok méretezését kétdimenziós megközelítésből háromdimenziós irányba mozdíthatja el. A közleményben úgy fogalmazott, hogy ez új irányt jelenthet a félvezetőipar számára, és utat kínálhat a logikai áramkörök méretezéséhez az elkövetkező évtizedben.
Ankur Gupta, a Siemens EDA integráltáramkör-portfóliójáért felelős ügyvezető alelnöke szerint az angströmkorszakban a tranzisztorok fizikájának, az EDA- és gyártási szoftvereknek, valamint a gyártásnak szorosan összehangolt közös optimalizálására van szükség. A Siemens a virtuális modellezés, a szimuláció, a litográfia és a tervezőszoftverek fejlesztésével segítené, hogy a fizikai korlátokat korábban azonosítsák.
A cégek célja a technológiafejlesztési ciklusok gyorsítása és a nanostack gyártásának előkészítéséhez szükséges alapok kiépítése. A bejelentés a felhasználók számára közvetlenül elérhető terméket vagy gyártásba került chipet nem jelent, a közlemény a kutatásra és a termeléshez szükséges képességek fejlesztésére összpontosít.
