Az Intel már több mint egymillió lapkát gyártott High NA EUV-val
Az Intel Foundry és az ASML szerint a High Numerical Aperture EUV litográfia már nagy volumenű gyártásban működik az Intel üzemeiben. A technológiával eddig több mint egymillió wafert dolgoztak fel, köztük a Panther Lake kódnevű Intel Core Ultra Series 3 processzorok egyes rétegeit.
- A High NA EUV már nagy volumenű gyártásban működik az Intel Foundrynál.
- Az Intel több mint egymillió wafert dolgozott fel a technológiával.
- A technológiát a Panther Lake processzorok egyes rétegeinél is használják.
- A High NA a jelenlegi 6 hüvelykes maszkformátummal és stitchinggel is alkalmazható.
- Az Intel és az ASML a 6 x 12 hüvelykes maszkokra való átmenetet készíti elő.
A High NA EUV már termelési környezetben működik
Az Intel Foundry szeptember 8-án közölte, hogy az ASML-lel együttműködve folytatja a High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet, röviden High NA EUV litográfia gyártásba állítását. A vállalatok a SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography konferencián számoltak be az eddigi eredményekről.
Az Intel szerint a High NA jelenleg is használatban van nagy volumenű gyártásban az Intel Foundrynál. Eddig több mint egymillió wafert dolgoztak fel. Ebbe beletartozik a korai berendezés-hitelesítés és tesztelés, a kutatás-fejlesztés, valamint a kiválasztott rétegek volumenű gyártása a Panther Lake kódnevű Intel Core Ultra Series 3 processzorok egy részéhez.
Az Intel közlése szerint a rétegek illesztési pontossága, a gyártási áteresztőképesség és a berendezések rendelkezésre állása megfelel a Foundry elvárásainak. Az Intel 18A technológián, High NA-val gyártott termékek kiválasztott rétegei a vállalat állítása szerint a 0,33-as numerikus apertúrájú NXE platformmal készített összehasonlítható rétegek teljesítményét elérik vagy meghaladják.
A jelenlegi maszkformátummal is használható
Az Intel és az ASML szerint az ügyfelek a High NA előnyeit a jelenlegi iparági maszkformátummal is kihasználhatják. Ehhez a tervezést a 6 hüvelykes maszkon belül kell kialakítani, vagy az Intel Foundry retikulumvarrási, illetve stitching képességeit és folyamat-tervezőkészletét, vagyis PDK-megoldásait lehet használni.
A retikulumvarrás lehetővé teszi, hogy a tervezők a High NA EUV-t a ma elterjedt, szabványos 6 hüvelykes maszkokkal alkalmazzák. A konferencián az ASML és az Intel külön előadásokat szentelt ennek a technikának. Jan van Schoot, az ASML munkatársa a szkenner- és maszkigényekről, Kimberly Pierce, az Intel Foundry képviselője pedig a gyártási célú stitchingről beszélt.
Az Intel Foundry több mint három éve dolgozik a nagyobb maszkformátum kezdeményezésén. A vállalat az ASML mellett maszkgyártókkal, automatizálási beszállítókkal, elektronikai tervezési automatizálási partnerekkel, anyagbeszállítókkal és más félvezetőgyártókkal működik együtt a szabványok, az infrastruktúra és a technológia fejlesztésén.
Út a 6 x 12 hüvelykes maszkok felé
Az együttműködés célja, hogy az iparág felkészüljön a High NA EUV további használatára és a nagyobb maszkformátumokra való átállásra. Naga Chandrasekaran, az Intel ügyvezető alelnöke és az Intel Foundry társvezetője szerint a vállalat rövid távon a 6 hüvelykes maszkokon való alkalmazásra összpontosít, stitchinggel vagy anélkül, miközben előkészíti az átmenetet a 6 x 12 hüvelykes maszkokra.
Christophe Fouquet, az ASML elnök-vezérigazgatója az Intel úttörő szerepét emelte ki. Magyarul azt mondta, hogy az Intel Foundry az iparág High NA-átállásának egyik kulcsszereplője volt, a 2024-ben telepített első kereskedelmi EXE-rendszertől kezdve a legújabb berendezések minősítésén át az első, High NA-val gyártott nagy volumenű logikai termék kiszállításáig.
A bejelentés az Intel ügyfelei számára azt jelenti, hogy a High NA EUV használata a forrás szerint már a jelenlegi maszkformátum mellett is megkezdődött. Az Intel és az ASML a teljes ökoszisztéma bevonásával olyan szabványokat és gyártási infrastruktúrát épít, amely a technológia későbbi, nagyobb maszkformátumú alkalmazását is támogathatja.
