Samsung és ASML bővíti együttműködését a High NA EUV gyártásban

Mélyül a Samsung és az ASML technológiai partnersége

A Samsung Electronics és az ASML közlése szerint tovább bővítik régóta fennálló stratégiai partnerségüket, hogy szorosabban dolgozzanak együtt a High NA EUV litográfián és a fejlett félvezetőgyártási technológiákon. A vállalatok szerint ezek a technológiák a mesterséges intelligencia korában szükséges következő generációs innovációt támogatják.

A bejelentés szerint az együttműködés célja olyan technológiák fejlesztésének és bevezetésének gyorsítása, amelyek megfelelnek a fejlett félvezetőgyártás növekvő teljesítmény- és hatékonysági követelményeinek. A Samsung a közleményben saját pozícióját a memória- és foundry-gyártásban, valamint a fejlett EUV-litográfiában szerzett tapasztalatával indokolja.

Young Hyun Jun, a Samsung Electronics alelnöke és vezérigazgatója a vállalat közleményében úgy fogalmazott: „Az AI-korszak átalakítja a félvezetőipart, és növeli a technológiai innováció jelentőségét a teljes értékláncban. A Samsung elkötelezett amellett, hogy áttörést jelentő technológiákon és erős partnerségeken keresztül megőrizze vezető szerepét a fejlett félvezetőgyártásban, beleértve a memóriát és a foundry-területet. Az ASML-lel való együttműködésünk további erősítésével segítünk megalapozni az AI és a félvezető-innováció következő generációját.”

12 hüvelykes fotomaszkok felé mozdul az iparág

A Samsung csatlakozik ahhoz az iparági kezdeményezéshez, amely a jövőbeli gyártáshoz szükséges következő generációs, 12 hüvelykes fotomaszk-technológia fejlesztését célozza. A közlemény szerint a félvezetőipar évtizedek óta a 6 hüvelykes fotomaszk-formátumra támaszkodik.

A High NA EUV mellett a nagyobb, 12 hüvelykes maszkokra való átállás a várakozások szerint tovább növelheti a gyárak termelékenységét, csökkentheti a chipgyártási költségeket, és megszüntetheti a stitching korlátait. A Samsung közlése alapján ez lehetővé teszi, hogy a fejlett chipgyártók teljesebben kihasználják a High NA EUV előnyeit, és a vezető élvonalbeli chipek következő generációi költséghatékonyabbá váljanak.

A vállalat az iparági partnerekkel együtt kíván dolgozni a szükséges maszktechnológiák és a kapcsolódó infrastruktúra fejlesztésén. A közlemény szerint a Samsung szerepét az is erősíti, hogy memória- és foundry-gyártásban is jelen van.

High NA EUV jöhet a jövőbeli DRAM-tömeggyártásba

A Samsung azt is tervezi, hogy 2028-ra elsőként vezeti be az ASML High NA extrém ultraibolya litográfiáját a jövőbeli DRAM nagy volumenű gyártásába. A vállalat szerint ez azt is mutatja, hogy a High NA technológia készen áll fejlett memória- és logikai alkalmazások támogatására.

A közlemény alapján a High NA EUV várhatóan meghosszabbítja a DRAM skálázási ütemtervét. A jobb felbontás a folyamatok egyszerűsítését és a hatékonyság növelését teheti lehetővé.

Christophe Fouquet, az ASML elnök-vezérigazgatója a közleményben ezt mondta: „A Samsung évek óta az ASML egyik legfontosabb innovációs partnere. Együtt segítettük elő azokat a technológiákat, amelyek a modern félvezetőgyártás alapját adják. Ahogy az iparág belép a mesterséges intelligencia által hajtott új időszakba, az ügyfeleinkkel való szoros együttműködés még fontosabbá válik. Várakozással tekintünk a Samsunggal közös munka elé, hogy lehetővé tegyük a félvezető-innováció következő hullámát.”

Mit jelenthet ez a chipgyártásnak

A bejelentés közvetlenül a félvezetőgyártás kulcsterületeit érinti: a litográfiát, a fotomaszk-infrastruktúrát, a DRAM-skálázást és a gyártási hatékonyságot. A Samsung és az ASML szerint a High NA EUV, valamint a 12 hüvelykes fotomaszk-platform a jövő fejlett chipjeit teheti költséghatékonyabbá.

A felhasználók számára a közlemény nem ígér konkrét termékeket vagy megjelenési dátumokat. A hír jelentősége inkább abban áll, hogy a Samsung a jövőbeli memória- és foundry-gyártás alaptechnológiáin dolgozik tovább az ASML-lel, miközben az iparág az AI-hoz kapcsolódó növekvő teljesítmény- és hatékonysági igényekre készül.