Az SK hynix és a SanDisk bemutatta a HBF első szabványát

Megszületett a HBF első szabványa

Az SK hynix augusztus 4-én jelentette be, hogy a SanDiskkel együtt elkészítette a High Bandwidth Flash első szabványos specifikációját. A specifikációt az Open Compute Projecten, az OCP-n keresztül tették közzé. A vállalat szerint ez nyílt iparági szabványként szolgálhat, így a HBF nem egyetlen gyártó saját technológiájaként jelenik meg.

A bejelentés a kaliforniai Santa Clara Convention Centerben megrendezett FMS 2026 nyitónapjára időzítve érkezett. Az esemény augusztus 4. és 6. között zajlott helyi idő szerint. Az SK hynix közleménye alapján a specifikáció nagyjából hat hónappal a HBF-konzorcium elindítása után készült el. A konzorciumhoz jelenleg a Google és a Tenstorrent is csatlakozik.

A HBF a HBM és az SSD közé kerülhet

A High Bandwidth Flash az SK hynix meghatározása szerint új memóriaréteg a nagy sávszélességű memória, vagyis a HBM, valamint az SSD-k között. NAND-technológiára épít, ezért a HBM-hez hasonlóan nagy sebességű adatátvitelt kínálhat, miközben nagyobb kapacitásra képes. A vállalat ezt az AI-inferencia terjedésével növekvő feldolgozandó adatmennyiség miatt tartja fontosnak.

A specifikáció kétféle, 8, illetve 16 NAND-lapkából álló rétegelt kialakítást határoz meg, legfeljebb 512 GB-os kapacitással. A sávszélességet három fokozatba sorolja, amelyek körülbelül 0,4 TB/s és 3,0 TB/s közötti teljesítményt fednek le.

A processzorokhoz való csatlakozáshoz a HBF az UCIe-t, vagyis az Universal Chiplet Interconnect Express nyílt iparági szabványos interfészét használja. Ez alapot teremthet ahhoz, hogy a technológiát többféle processzortípussal, köztük GPU-kkal és CPU-kkal is integrálják. A dokumentum a csatlakozási interfészeket, az elektromos jellemzőket, a megbízhatósági és tokozási irányelveket, valamint a szoftveres I/O-ra vonatkozó útmutatást is tartalmazza.

Új NAND-lapkát és AI-s memóriarendszert mutattak be

Az FMS 2026 nyitónapján Kim Chun-sung, az SK hynix megoldásfejlesztésért felelős alelnöke, valamint Kang Uk-song alelnök közös előadást tartott az ügynöki AI koráról és a rétegzett memóriáról. A vállalat szerint egyetlen memóriatípus nem képes kezelni az AI-infrastruktúrák összetett sebesség- és kapacitásigényeit, ezért különböző memóriatípusok egységes rendszerben történő összekapcsolását és optimalizálását szorgalmazza.

Augusztus 6-án az SK hynix, a SanDisk és a Google DeepMind képviselői a HBF memóriasávszélességre gyakorolt hatásáról tartottak panelbeszélgetést. A vállalat kiállítóterületén első alkalommal mutatta be tizedik generációs, V10 jelzésű, 375 rétegű 4D NAND-lapkáját és a fejlesztés alatt álló termékeket.

Az SK hynix szerint az új 375 rétegű 4D NAND az előző generációhoz képest 2,5-szeres teljesítmény wattonként értéket kínál. A vállalat a nagy teljesítményű, nagy kapacitású, erre a NAND-ra épülő eSSD-k tömeggyártását a következő év elején tervezi elindítani. Kim Chun-sung szerint a HBF technológiával „az SK hynix kiterjeszti a memória és a tárolás közötti határokat, és hozzájárul az általános rendszerhatékonyságot javító új architektúrák kiépítéséhez”.