V10 BV-NAND
A Samsung 400 réteg fölé emelte a 3D NAND technológiát
A Samsung V10 BV-NAND flashmemóriája nyerte el a 3D & NAND Innovation Award díjat az FMS 2026 Best of Show Awards rendezvényén. A vállalat szerint az új memória több…
Chipek és infrastruktúraA Samsung új 3D memóriatechnológiákat mutatott be az FMS 2026-on
A Samsung Electronics az FMS 2026 memóriatechnológiai rendezvényen mutatta be új, mesterséges intelligenciához fejlesztett memória- és tárolási megoldásait. A vállalat…
Samsung: jön a 400 réteg feletti V10 BV-NAND és a zHBM koncepció
A Samsung Electronics 2026. augusztus 5-én, a kaliforniai Santa Clarában zajló Future of Memory and Storage 2026 rendezvényen mutatta be legújabb AI memóriás…
A Samsung új 3D-memória-architektúrákat mutatott be az AI számára
A Samsung az FMS 2026 konferencián bemutatta a zHBM és zNAND-O új 3D-memória-koncepciókat, valamint a több mint 400 rétegű V10 BV-NAND architektúrát. A vállalat a…
Chipek és infrastruktúraA Samsung háromdimenziós memóriával gyorsítaná az AI-rendszereket
A Samsung három új, háromdimenziós memóriatechnológiát mutatott be az FMS 2026 konferencián. A zHBM, a zNAND-O és a V10 BV-NAND az AI-adatközpontok, illetve az eszközön…