A Samsung új 3D memóriatechnológiákat mutatott be az FMS 2026-on

A Samsung az AI-memóriák jövőjét vázolta fel

A Future of Memory and Storage, vagyis az FMS 2026 rendezvényt augusztus 4. és 6. között tartották a kaliforniai Santa Clarában. Az eseményen a memóriaipar szereplői a következő generációs memória- és tárolási technológiákról egyeztettek.

A Samsung augusztus 5-i közleménye szerint a vállalat előadással, kiállítással és díjazott fejlesztésekkel vett részt az eseményen. A „Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovation in Memory & Storage Architecture” című előadást Jinyeop Lee, a Flash Product & Technology ügyvezető alelnöke, valamint Kyungryun Kim, a DRAM Product & Technology alelnöke tartotta.

Az előadásban a Samsung legújabb 3D memóriarchitektúráját mutatta be, és ismertette a zHBM, a zNAND-O, valamint az iparág első V10 Bonding Vertical NAND, röviden V10 BV-NAND technológiáját. A vállalat szerint ezek a fejlesztések az AI-korszak memóriaigényeire adott válaszának részét képezik.

Mintegy 30 termék három kiállítási zónában

A Samsung standja hozzávetőleg 66 négyzetméteren mutatta be a vállalat AI-adatközponti koncepcióját. A kiállítótér három részre, Highlight, Cloud AI és Edge AI zónára tagolódott, ahol nagyjából 30 DRAM-, NAND- és vállalati tárolóterméket állítottak ki.

A Highlight zónában a zHBM és a zNAND-O makettjei szerepeltek. Ezek az FMS-en iparági bemutatkozásként jelentek meg. A Samsung mérnökei a látogatóknak ismertették a termékek felépítését, az adatok mozgását és a lehetséges alkalmazásokat.

A Cloud AI Storage zónában a Samsung a vállalat által az iparág első V10 BV-NAND-jaként bemutatott technológiát állította ki. Interaktív bemutatók és videók szemléltették a cellákat, a perifériás áramköri lapkákat, a chip felépítését és a több mint 400 réteget alkalmazó architektúrát.

A Cloud AI Memory zónában a következő generációs AI-platformok és HBM4E-waferlemezek is megjelentek. A Samsung HBM5-öt is bemutatta, amely a vállalat új hőkezelési technológiáját, a Heat Path Blockot, vagyis HPB-t használja. A wafer-, chip- és tokozási felépítések összehasonlítása a termékek tervezési és teljesítménybeli jellemzőit szemléltette.

Az LPDDR5X-PIM a memóriában végez bizonyos számításokat

Az Edge AI zóna egyik legnagyobb érdeklődést kiváltó bemutatója az LPDDR5X-PIM volt. A technológia a feldolgozást a memóriába integrálja, így bizonyos AI-számításokat közvetlenül a memóriában hajt végre. A Samsung szerint ezzel csökkenthető az adatok mozgatása, és javítható az AI-munkaterhelések számítási hatékonysága.

Egy globális AI-szervereket gyártó vállalat vezetője a Samsung közlése szerint úgy fogalmazott: „Lenyűgöző volt látni, ahogy a memória az adattároláson túl a számítási hatékonyság javításában is szerepet kap.” Egy másik látogató szerint a zHBM és az LPDDR5X-PIM eltérő megközelítést alkalmaz, de mindkettő az AI-rendszerek szűk keresztmetszeteinek kezelését célozza.

A fejlesztések az AI-infrastruktúra és az eszközön futó AI-alkalmazások memóriaigényeit egyaránt érintik. A Samsung közlése szerint az FMS 2026 lehetőséget adott arra is, hogy a vállalat ügyfelei és az iparági szakemberek megvitassák az AI-számítástechnika jövőjét.

A Samsung díjat kapott a V10 BV-NAND-ért és az LPDDR5X-PIM-ért

A rendezvény nyitónapján megtartott FMS Awards Ceremony során a Samsung Electronics megkapta az FMS Best of Show Award díjat a V10 BV-NAND és az LPDDR5X-PIM fejlesztésekért. Az elismerést Jinyeop Lee és Kyungryun Kim vette át a vállalat nevében.

A díjátadó után a látogatók a díjazott kiállítási tárgyak köré gyűltek, ahol a Samsung kutatói részletes technikai megbeszéléseket folytattak ügyfelekkel és iparági szakemberekkel. A vállalat szerint a bemutatott technológiák azt példázzák, hogyan fejlődnek a memóriamegoldások a nagyméretű AI-infrastruktúrák és az eszközön futó AI-élmények támogatására.

A Samsung közlése szerint a vállalat a memóriák, a bérgyártás és a fejlett tokozás területén meglévő tapasztalatára építve tovább dolgozik az ügyfelekkel a félvezetőipari fejlesztéseken.