A Samsung 2028-tól High NA EUV-val gyártana DRAM-ot
A Samsung és az ASML kibővíti stratégiai együttműködését a High NA EUV litográfia és a fejlett félvezetőgyártás területén. A Samsung 2028-tól tervezi bevezetni az ASML technológiáját jövőbeli, nagy volumenű DRAM-gyártásában.
- A Samsung és az ASML kibővíti stratégiai együttműködését a High NA EUV területén.
- A Samsung csatlakozik a 12 hüvelykes fotómaszk-technológia iparági kezdeményezéséhez.
- A vállalat 2028-tól tervezi a High NA EUV használatát jövőbeli, nagy volumenű DRAM-gyártásában.
- A nagyobb fotómaszk a közlemény szerint növelheti a termelékenységet és csökkentheti a chipgyártás költségeit.
- A High NA EUV nagyobb felbontással támogathatja a DRAM-skálázást és a folyamatok egyszerűsítését.
Új fotómaszk-platformhoz csatlakozik a Samsung
A két vállalat 2026. szeptember 8-án jelentette be az együttműködés elmélyítését. Közleményük szerint közösen gyorsítanák azoknak a technológiáknak a fejlesztését és alkalmazását, amelyek a fejlett félvezetőgyártás teljesítmény- és hatékonysági követelményeit szolgálják az MI-korszakban.
A Samsung csatlakozik az iparági kezdeményezéshez, amely a következő generációs, 12 hüvelykes fotómaszk-technológiát fejleszti. A félvezetőipar évtizedek óta 6 hüvelykes fotómaszk-formátumot használ. A High NA EUV bevezetésével a nagyobb maszkokra való átállás a közlemény szerint növelheti a gyártóüzemek termelékenységét, csökkentheti a chipgyártás költségeit, és megszüntetheti az úgynevezett stitching, vagyis illesztési korlátokat.
A Samsung a memória- és bérgyártásban szerzett tapasztalatára, valamint a fejlett EUV-litográfiában meglévő ismereteire támaszkodva venne részt az átállásban. A vállalat iparági partnerekkel együtt dolgozik majd a szükséges maszktechnológiák és a hozzájuk kapcsolódó infrastruktúra fejlesztésén.
2028-tól jelenhet meg a High NA EUV a DRAM-gyártásban
A Samsung tervei szerint 2028-tól vezeti be az ASML High NA extrém ultraibolya, vagyis EUV-litográfiáját a jövőbeli DRAM-chipek nagy volumenű gyártásában. A cég közlése szerint ez első alkalom lenne az iparágban, hogy a technológiát ilyen gyártási környezetben alkalmazzák.
A High NA EUV nagyobb felbontást biztosít, amely a Samsung szerint meghosszabbíthatja a DRAM-skálázás útitervét. A technológia emellett egyszerűsítheti a gyártási folyamatokat és javíthatja a hatékonyságot. A vállalat úgy látja, hogy a High NA technológia a fejlett memória- és logikai áramkörök gyártásában is támogathatja a következő fejlesztéseket.
A közlemény nem közöl konkrét gyártóüzemet, kapacitást vagy a tervezett beruházás értékét. A 2028-as év a Samsung által közölt bevezetési tervre vonatkozik.
Hosszú távú partnerségre építenek
Young Hyun Jun, a Samsung Electronics alelnöke és vezérigazgatója szerint a mesterséges intelligencia kora növeli a technológiai innováció jelentőségét a félvezetőipar teljes értékláncában. A vezető közölte, hogy a Samsung fejlett memória- és bérgyártási technológiákban kívánja fenntartani vezető szerepét, ehhez pedig áttörést hozó technológiákra és erős partnerségekre épít.
Christophe Fouquet, az ASML elnök-vezérigazgatója a Samsungot a vállalat egyik legfontosabb innovációs partnerének nevezte. Szerinte a két cég együtt fejlesztette azokat a technológiákat, amelyek a modern félvezetőgyártás alapját adják. Fouquet úgy fogalmazott, hogy a mesterséges intelligencia által hajtott új iparági korszakban még fontosabbá válik a szoros együttműködés az ügyfelekkel.
A Samsung és az ASML a jövőben további együttműködési lehetőségeket is vizsgálna, többek között a fejlett memóriák és az új gyártási megközelítések területén. A felhasználók számára a bejelentés közvetlen termékmegjelenést nem jelent, az iparág szempontjából viszont a fejlettebb memória- és logikai chipek gyártási technológiájának előkészítését jelzi.
Samsung Semiconductor: Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturing
